MemSilicon完成1T4R 1Gb RRAM芯片流片

2026年10月14日，MemSilicon宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度RRAM芯片“泰山一号”的流片。该芯片采用28nm CMOS工艺和1T4R单元结构，单芯片容量为1Gb，存储密度达到30Mb/mm²，访问延时小于20ns。作为国际首款此类产品，“泰山一号”通过共享选择晶体管显著提升了存储密度。这一突破旨在为AI推理等应用场景提供高可靠、低功耗的片上非易失存储解决方案，标志着MemSilicon在新型存储技术领域取得重要进展。

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