MemSilicon完成国际首款1T4R 1Gb RRAM芯片“泰山一号”流片

MemSilicon宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度RRAM芯片“泰山一号”流片。该芯片采用28nm CMOS工艺和1T4R单元结构，单芯片容量1Gb，密度达30Mb/mm²，访问延时小于20ns。作为国际首款此类产品，它通过共享选择晶体管提升存储密度，为AI推理等场景提供高可靠、低功耗的片上非易失存储方案。